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product
產(chǎn)品分類
3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe PV系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測器，具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時達到它本身能達到的的佳性能。波長分割可根據(jù)需求進行優(yōu)化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應(yīng)速度和動態(tài)范圍的同時提高高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲在低頻下可能會降低探測器的性能。
更新時間：2024-12-05
產(chǎn)品型號：
瀏覽量：945
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器：材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ＧＨｚ； 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接 FC/UPC,SMF28e
更新時間：2024-12-04產(chǎn)品型號：ET-3500F瀏覽量：2311
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器：材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 響應(yīng)度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 帶寬：＞１０ＧＨｚ； 有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接,FC/UPC
更新時間：2024-12-04產(chǎn)品型號：ET-5000F瀏覽量：2184
美國EOT - 硅光電探測器 118 MHz：材料：Silicon 上升／下降時間：＜３ｎｓ／＜３ｎｓ； 響應(yīng)度：０．５６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 帶寬：＞１１８ＭＨｚ； 有效面積直徑：２．５５ｍｍ； 輸出連接：BNC
更新時間：2024-12-04產(chǎn)品型號：ET-2070瀏覽量：1205
美國EOT InGaAs 銦鎵砷光電探測器 2 GHz：材料：InGaAs 上升／下降時間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞２ＧＨｚ； 有效面積直徑：１００ｕｍ； 輸出連接：BNC
更新時間：2024-12-04產(chǎn)品型號：ET-3010瀏覽量：1497
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