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當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心光電探測(cè)器MCT碲鎘汞探測(cè)器中紅外兩級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器

中紅外兩級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2-12μm MCT 中紅外兩級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 PVI-2TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器,具有好的性能和穩(wěn)定性,同時(shí)采用光學(xué)浸入來(lái)改善器件的參數(shù)。探測(cè)器在λopt時(shí)具有好性能。

產(chǎn)品型號(hào):
更新時(shí)間:2024-12-04
廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
訪問量:982
詳細(xì)介紹在線留言
品牌其他品牌產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,能源,建材,電子

PVI-2TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)熱電冷卻紅外光探測(cè)器,具有好的性能和穩(wěn)定性,同時(shí)采用光學(xué)浸入來(lái)改善器件的參數(shù)。探測(cè)器在λopt時(shí)具有性能。起始波長(zhǎng)可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻下的性能。3°楔狀藍(lán)寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。

產(chǎn)品特點(diǎn)

可探測(cè)中紅外波長(zhǎng)范圍2-12μm

可配專用前置放大器

1mm×1mm大尺寸光敏面

帶有抗反射涂層窗口鏡

帶有超半球微型砷化鎵透鏡實(shí)現(xiàn)光學(xué)浸沒,有效提升探測(cè)效率

封裝及尺寸

TO8型封裝外形尺寸圖

23.jpg

參量

數(shù)值

浸沒微型透鏡形狀

超半球形

光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm

0.5×0.5

1×1

R,mm

0.5

0.8

A,mm

4.1±0.3

3.2±0.3

備注:

?—接收角度;

R—超半球微型透鏡半徑

A—2TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離


2TE-TO8引腳定義

功能

PIN號(hào)

探測(cè)器

1,3

反向偏壓(可選)

1(-),3(+)

熱敏電阻

7,9

TE冷卻器供應(yīng)

2(+),8(-)

底板接地

11

未使用

4,5,6,10,12


2TE-TO66封裝尺寸圖

參量

數(shù)值

浸沒微型透鏡形狀

超半球形

光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm

0.5×0.5

1×1

R,mm

0.5

0.8

A,mm

5.15±0.30

3.2±0.30

備注:

?—接收角度;

R—超半球微型透鏡半徑

A—2TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離


TO66引腳定義

功能

PIN號(hào)

探測(cè)器

7,8

反向偏壓(可選)

7(-),8(+)

熱敏電阻

5,6

TE冷卻器供應(yīng)

1(+),9(-)

未使用

2,3,4

產(chǎn)品應(yīng)用

醫(yī)學(xué)熱成像

紅外光譜分析

中紅外氣體吸收檢測(cè)

中紅外激光探測(cè)

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)

探測(cè)器型號(hào)

PVI-2TE-3

PVI-2TE-3.4

PVI-2TE-4

PVI-2TE-5

PVI-2TE-6

PVI-2TE-8

PVI-2TE-10.6

有源元件材料

外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)

最佳波長(zhǎng)λopt,μm

3

3.4

4

5

6

8

10.6

探測(cè)靈敏度D*(λpeak),cm·Hz?/w

≥8×1011

≥6×1011

≥4×1011

≥2×1011

≥7×1010

≥4×109

≥2×109

探測(cè)靈敏度D*(λopt),cm·Hz?/W

≥5.5×1011

≥3×1011

≥3×1011

≥9×1010

≥4×1010

≥2×109

≥1×109

電流響應(yīng)度Ri(λopt),A/W

≥0.5

≥0.8

≥1.3

≥1.3

≥1.5

≥0.8

≥0.4

時(shí)間常數(shù)T,ns

≤280

≤200

≤100

≤80

≤50

≤45

≤10

電阻-感光元件面積乘積R·AO,Ω·cm2

≥15000

≥300

≥200

≥10

≥2

≥0.02

≥0.01

有源元件溫度Tdet,K

~230

感光面面積AO,mm×mm

0.5×0.5,1×1

0.05×0.05

封裝

TO8,TO66

接收角Φ

~36°

窗口

wAl2O3

wZnSeAR

探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線

PVI-2TE.png

熱敏電阻特性曲線

PV-2TE1.jpeg

兩級(jí)TE冷卻參數(shù)表

參量

數(shù)值

Tdet , K

~230

Vmax , V

1.3

Imax , A

1.2

Qmax , W

0.36


抗反射涂層窗口光譜透過(guò)率曲線

PV-2TE2.jpeg

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