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產(chǎn)品中心

當前位置：首頁產(chǎn)品中心光電探測器 InGaAs銦鎵砷光電探測器InGaAs單元探測器 5GHz

InGaAs單元探測器 5GHz

產(chǎn)品簡介

InGaAs單元探測器 5GHz

產(chǎn)品型號：

更新時間：2024-12-07

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

訪問量：920

產(chǎn)品咨詢 18602170419

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產(chǎn)品分類

光電探測器

超快光電探測器/EOT 單光子探測器/計數(shù)器光電倍增管其他光電探測器 Ge鍺光電探測器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測器 Si硅光電探測器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測器 MCT碲鎘汞探測器

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400-828-1550

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品牌	其他品牌	價格區(qū)間	面議
組成要素	半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備	產(chǎn)地類別	進口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,建材,電子

總覽

高速低噪聲光電平衡探測模塊集成了兩個匹配的超低噪聲模擬PIN探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等特點，可以有效的減少信號的共模噪聲，提高系統(tǒng)的信噪比。

InGaAs單元探測器 5GHz InGaAs單元探測器 5GHz

產(chǎn)品特點

● 噪聲低

● 高增益

● 高帶寬

● 結(jié)構(gòu)緊湊

● 內(nèi)置低噪隔離電源

產(chǎn)品應(yīng)用

分布式光纖傳感

激光測風(fēng)雷達

光學(xué)相干層析

光譜測量

ns 級光脈沖探測

光纖通信

其它科研應(yīng)用

通用參數(shù)

產(chǎn)品型號	PD-100M-A	PD-200M-A	PD-300M-A	PD-400M-A	PD-500M-A	PD-600M-A	PD-800M-A	PD-1G-A	PD-1.2G-A	PD-1.5G-A	PD-2G-A	PD-2.5G-A	PD-5G-A	單位
探測器類型	InGaAs
波長	800~1700													nm
帶寬	100M	200M	300M	400M	500M	600M	800M	1G	1.2G	1.5G	2G	2.5G	5G	Hz
探測器響應(yīng)度	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	A/W@1550nm
跨阻增益	30K	30K	30K	10K	5K	5K	30K	30K	30K	20K	15K	15K	3K	V/A
飽和光功率	140	140	140	420	840	840	140	140	140	210	280	280	1400	μW
NEP	5	5	5	7	7	8	9	9	9	9	9	9	9	pW/Sqrt(Hz)
輸出阻抗	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	Ω
輸出耦合方式	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC	AC	AC	AC	AC	AC	AC	AC
供電電壓	5	5	5	5	5	5	12	12	12	12	12	12	12	V
供電電流	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.2(max)	0.2(max)	0.2(max)	0.2(max)	0.2(max)	0.2(max)	0.2(max)	A
光學(xué)輸入	FC/APC（自由空間光可選）
射頻輸出	SMA
外形尺寸	655020												755525	mm

使用說明

1.該模塊供電電壓為5V，供電電流最大值為0.25A.

2. Input 為光輸入接口; RF為射頻輸出接口.

3.接入輸入端前請確保端面清潔防止臟污對測量結(jié)果造成影響.

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